NIR-Version des
CMOS-Bildsensors CMV12000
Die für das NIR erweiterte Ausführung des CMV12000 wird in einem speziellen 12µm epi-Si Wafer-Prozess gefertigt. Der epi-Layer ist also 7µm dicker als bei Standard-Wafern. Dies erhöht die Quanteneffizienz (QE) signifikant für Wellenlängen oberhalb 600nm. Bei 825nm beträgt der QE-Wert fast das Zweifache von 5µm epi-Si Wafern, mit einer Erhöhung um 15 auf 30% für die monochrome Ausführung. Der 12MP-CMOS übertrifft die gegenwärtig am Markt verfügbaren Lösungen durch seinen Global Shutter und die Frame-Rate von 300fps bei voller Auflösung.
